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 北京世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）成立于2010年12月，前身是中原半导体研究所，注册资本23,656万元，产业园占地56亩。主营碳化硅单晶、外延材料、电力电子功率器件和功率模块的研发、生产和销售，并深化SiC和GaN功率器件在新能源汽车、充电桩、分布式光伏等领域的行业应用。
近五十年以来，世纪金光一直扎根于半导体行业，积累了雄厚的科研实力及领先技术开发平台。在国内率先完成了以第三代半导体碳化硅材料从单晶、外延到器件、模块以及终端行业应用方案的全产业链贯通，实现了自主可控第三代半导体的产业化。
公司技术实力雄厚，拥有一支由研究员（教授）、博导、留学归国专家、博士、硕士组成的技术和管理团队，涵盖了材料物理、半导体材料、微电子、集成电路、化学等专业领域，形成了基础研究和产业化生产良性互动，研发和产品持续发展的格局，先后为国家重大项目，重点工程提供了批量的产品，并得到国家相关部门的多次表彰和客户高度满意的口碑。
“产、学、研、用”
公司先后与中国科学院半导体所成立了“宽带隙功能材料与功率器件联合实验室”、“碳化硅功能材料联合实验室”；与西安电子科技大学成立了“碳化硅功率器件联合实验室”，建立了人才联合培养基地；与南京航空航天大学建立了“SiC功率器件驱动应用研究联合实验室”；与北京工业大学建立了“IGBT研发联合实验室”；与清华大学、北京大学、中科院电工所等科研院所建立了长期科研合作关系；与北京新能源汽车、国家电网等行业应用领军企业建立了第三代半导体功能材料和功率器件联合应用中心。
通过“产、学、研、用”的模式夯实公司技术攻关力量，携手创新，协同发展，不断加快科技成果产业化及应用的速度。
广泛开展国际合作：与法国、德国、日本和台湾等地区建立了多层次的业务往来和交流合作。公司产品
公司产品包括半导体材料、器件和模块等产品系列。
半导体功能材料产品包括：碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶片、碳化硅外延片以及氮化镓外延片等产品。
半导体功率器件和模块产品包括：多种规格的肖特基二极管（SBD），金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、碳化硅功率模块、IGBT模块等产品。
技术介绍
针对硅闸流管或可控硅、绝缘栅型双极晶体管（IGBT）的大功率市场，碳化硅功率双极晶体管（BJT）或者金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）可以工作在非常高的开关频率，直接的好处就是大大减小变压器的尺寸，并且减少变电过程中的能耗。
针对马达驱动用的硅IGBT和功率MOSFET，碳化硅的MOSFET或者结型场效应管（JFET）可以介入，同样以更高的效率和更小的体积来获得成本优势；另外，针对混合动力里的电机驱动应用，碳化硅器件的高温特性可以把由碳化硅驱动模块直接贴在电机外侧，减小功率引线上的寄生电感，并且无需提供半导体器件的冷却系统。
碳化硅功率肖特基二极管（SBD），可以提供高效开关电路中的导流管，这也是目前商业化程度最高的碳化硅功率器件。
服务优势
世纪金光通过自主创新、联合开发及国际合作“多轮驱动”，构筑以客户为中心的全球营销体系。业务团队深谙客户需求，为客户提供富有竞争力的产品选型和商务合作方案；技术工程师资深专业，为客户提供1对1技术支持；覆盖全球的直分销渠道，7*24小时贴心客户服务，持续为客户、合作伙伴和全社会创造价值。
竞争优势
1、世纪金光是国内唯一一家成功实现了从碳化硅粉料、单晶、外延、器件到模块的全产业链贯通，实现了从设计到研发生产及应用的全过程自主可控；
2、国内率先规划建设产能领先的6英寸碳化硅、氮化镓器件线，保障客户持续批量需求；
3、实现了产业链上中下游的快速响应、协同发展机制，解决了行业中相互封闭的弊端，一体化设计直达应用终端。 |
| 公司名称： |
北京世纪金光半导体有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所 在 地： |
默认地区 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2014 |
| 资料认证： |
      企业资料通过认证
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00元 |
| 经营范围： |
碳化硅高纯粉料，
碳化硅单晶片，
磷化铟单晶片，
锑化镓单晶片，
碳化硅同质外延片，
氮化镓基外延片
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| 主营行业： |
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